在2月13日，小米公司CEO雷軍在介紹完小米10之后，頓了頓，宣布了一個新的電源適配器。這個電源適配器支持小米65W快充，但比標配充電頭小了一倍，并且發熱更低。這，就是氮化鎵（GaN）電源適配器。

眾所周知，隨著手機屏幕的增大和處理器性能的增加，對手機本身的電量儲備和充電時間也提出了高要求。如何“又快又好”成為了手機續航的重要問題。對于普通的充電器而言，用上百kHz的開關頻率切換FET的開關狀態就已經足夠。而且開關頻率越高，體積就會越小。

但問題在于，盲目提高開關頻率，很容易導致電源變熱，發生危險。而人們為了解決這個問題，采取了很多辦法：增加漏感能量的電容、實現零電壓開啟FET（ZVS技術）。而氮化鎵，就是在這個時候出場。傳統的FET都是基于硅制造的，但相比硅材料，氮化鎵（GaN）是一種極穩定的化合物，它的堅硬性好，熔點高，電離度高。

而如果我們能用氮化鎵材質的FET去取代硅材料，那么氮化鎵電離性好、熔點高的優勢，可以讓開關頻率變得更高，將體積縮小一半左右，這樣電源適配器的體積也就大大的縮小了。