“氮化鎵”，是一種新型半導體材料，它具有禁帶寬度大、熱導率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強度和高硬度等特性，在早期廣泛運用于新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、半導體照明、新一代移動通信，被譽為第三代半導體材料。目前氮化鎵還被廣泛運用到消費類電子等領域，電源適配器便是其中一項。

采用了氮化鎵元件的電源適配器最直觀的感受就是體積小、重量輕，在發(fā)熱量、效率轉換上相比普通充電器也有更大的優(yōu)勢，大大的提升了我們的使用體驗。說道這里，大家一定會對這種電源適配器非常好奇吧，有充電頭網(wǎng)進行了拆解，一起來看一下吧。

進行拆解的是ANKER30W GaN氮化鎵電源適配器

通過拆解發(fā)現(xiàn)，充電器內(nèi)部元器件穿插布置，采用兩塊平行電路板之間加一塊小板的結構，使得空間利用率極高，并且巧妙的設計了塑料絕緣支架，為充電器提供絕緣和支撐，使充電器更加穩(wěn)固。采用PI InnoGaN一體化芯片SC1933C，大大簡化充電器設計，同時得益于其高頻高效的特性，所以30W的輸出功率也無需輔助散熱，進一步節(jié)約了空間。輸出采用同步整流，減低溫度提高效率，電路板內(nèi)層大面積敷銅，幫助導熱和散熱。產(chǎn)品的用料講究、設計巧妙、做工精細，滿滿黑科技。

目前市面上氮化鎵電源適配器主要以采用PI和納微的方案為主，其中PI的方案將氮化鎵功率器件、驅動、PWM控制器都集成在一顆芯片內(nèi)，集成度非常高，這也是PI歷來的風格，所以PCB板的設計要相對簡潔很多。

納微的氮化鎵功率器件則是獨立的，采用高度集成的驅動電路和單晶片的設計，使得氮化鎵芯片的開關頻率大幅度提高，最終實現(xiàn)產(chǎn)品的小型化和高效率。